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Showing results 2 to 2 of 2
Article
Effect of Rising Edge during Dynamic Stress With Duty Ratio in Amorphous InGaZnO Thin Film Transistors
SCIE
SCOPUS
Journal of DisplayTecjnology, vol. 12, no. 10, page. 1078 - 1082, 2016-10
Lee, YH
;
Seok, S
;
Lee, TK
;
Kim, SH
;
Kim, BK
;
et al
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