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OASIS Repository@POSTECHLIBRARY
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Article
High power 0.25 mu m gate GaNHEMTs on sapphire with power density 4.2 W/mm at 10 GHz
SCIE
SCOPUS
ELECTRONICS LETTERS, vol. 39, no. 6, page. 566 - 567, 2003-03-20
Youn, RH
;
Kumar, V
;
Lee, JH
;
Schwindt, R
;
Chang, WJ
;
et al
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