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Article
IMPROVEMENT OF BREAKDOWN CHARACTERISTICS OF A GAAS POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR USING (NH4)2SX TREATMENT
SCIE
SCOPUS
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, vol. 73, no. 7, page. 3539 - 3542, 1993-04-01
KANG, JY
;
KIM, D
;
LEE, JL
;
LEE, YT
;
MAENG, SJ
;
et al
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