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Showing results 1 to 1 of 1
Article
In-plane tensile-strained interfacial structure in a GaN nucleation layer on sapphire(0001)
SCIE
SCOPUS
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, vol. 90, no. 5, page. 2191 - 2194, 2001-09-01
Kim, CC
;
Je, JH
;
Yi, MS
;
Noh, DY
;
Ruterana, P
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