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Quantum Simulation을 이용한 Silicon channel 두께와 Doping이 Double Gate MOSFET 소자의 GIDL 특성에 미치는 영향 분석
- Title
- Quantum Simulation을 이용한 Silicon channel 두께와 Doping이 Double Gate MOSFET 소자의 GIDL 특성에 미치는 영향 분석
- Authors
- 정윤하
- Date Issued
- 2010-06-18
- Publisher
- 대한전자공학회
- Article Type
- Conference
- Citation
- 2010 대한전자공학회 하계종합학술대회, page. 475 - 476, 2010-06-18
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Related Researcher
- 정윤하JEONG, YOON HA
- Dept of Electrical Enginrg